547-GHz ft In0.7Ga0.3As-In0.52Al0.48As HEMTs with reduced source and drain resistance

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2004-05, Vol.25 (5), p.241
Hauptverfasser:	Shinohara, K, Yamashita, Y, Endoh, A, Watanabe, I, Hikosaka, K, Matsui, T, Mimura, T, Hiyamizu, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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