Integration of BaxSr1-xTiO3 thin films with AlGaN/GaN HEMT circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2004-02, Vol.25 (2), p.49
Hauptverfasser:	Xu, Hongtao, Pervez, N.K, Hansen, P.J, Shen, L, Keller, S, Mishra, U.K, York, R.A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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