Proton irradiation effects on GaN-based high electron-mobility transistors with Si-doped AlxGa1-xN and thick GaN cap Layers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 2004-12, Vol.51 (6), p.3801
Hauptverfasser:	Karmarkar, A.P, Jun, Bongim, Fleetwood, D.M, Schrimpf, R.D, Weller, R.A, White, B.D, Brillson, L.J, Mishra, U.K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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