A submicrometer 252 GHz fT and 283 GHz fMAX inp DHBT with reduced CBC using selectively implanted buried subcollector (SIBS)

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-03, Vol.26 (3), p.136-138
Hauptverfasser:	LI, James C, CHEN, Mary, HITKO, Donald A, FIELDS, Charles H, BINQIANG SHI, RAJAVEL, Rajesh, ASBECK, Peter M, SOKOLICH, Marko SR
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!