Charge Retention Loss in a HfO2 Dot Flash Memory via Thermally Assisted Tunneling

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2008, Vol.29 (1), p.109-110
Hauptverfasser:	TAHUI WANG, MA, H. C, LI, C. H, LIN, Y. H, CHIEN, C. H, LEI, T. F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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