The Effect of Nanoscale Nonuniformity of Oxygen Vacancy on Electrical and Reliability Characteristics of HfO2 MOSFET Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2008, Vol.29 (1), p.54-56
Hauptverfasser:	PARK, Hokyung, JO, Minseok, HWANG, Hyunsang, CHOI, Hyejung, HASAN, Musarrat, CHOI, Rino, KIRSCH, Paul D, CHANG YOUNG KANG, BYOUNG HUN LEE, KIM, Tae-Wook, LEE, Takhee
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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