n+/p+ gate bulk FinFETs with locally separated channel structure for sub-50-nm DRAM cell transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007-12, Vol.28 (12), p.1126-1128
Hauptverfasser:	JUNG, Han-A-Reum, PARK, Ki-Heung, LEE, Jong-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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