Achieving conduction band-edge effective work functions by La2O3 capping of hafnium silicates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007-06, Vol.28 (6), p.486-488
Hauptverfasser:	RAGNARSSON, Lars-Ake, CHANG, Vincent S, BIESEMANS, Serge, HONG YU YU, CHO, Hag-Ju, CONARD, Thierry, KAI MIN YIN, DELABIE, Annelies, SWERTS, Johan, SCHRAM, Tom, DE GENDT, Stefan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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