Yttrium- and terbium-based interlayer on SiO2 and HfO2 gate dielectrics for work function modulation of nickel fully silicided gate in nmosfet

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007-06, Vol.28 (6), p.482-485
Hauptverfasser:	LIM, Andy Eu-Jin, LEE, Rinus T. P, XIN PENG WANG, WAN SIK HWANG, CHIH HANG TUNG, SAMUDRA, Ganesh S, KWONG, Dim-Lee, YEO, Yee-Chia
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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