Improved reliability of HfO2/SiON gate stack by fluorine incorporation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2006-04, Vol.27 (4), p.240-242
Hauptverfasser:	LU, Wen-Tai, CHIEIN, Chao-Hsin, LAN, Wen-Ting, LEE, Tsung-Chieh, LEHNEN, Peer, HUANG, Tiao-Yuan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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