50-nm T-gate metamorphic GaAs HEMTs with fT of 440 GHz and noise figure of 0.7 dB at 26 GHz

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-11, Vol.26 (11), p.784-786
Hauptverfasser:	ELGAID, K, MCLELLAND, H, HOLLAND, M, MORAN, D. A. J, STANLEY, C. R, THAYNE, I. G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Imaging devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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