Laterally scaled Si-Si0.7Ge0.3 n-MODFETs with fmax > 200 GHz and low operating bias

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-03, Vol.26 (3), p.178-180
Hauptverfasser:	KOESTER, S. J, SAENGER, K. L, CHU, J. O, OUYANG, Q. C, OTT, J. A, JENKINS, K. A, CANAPERI, D. F, TORNELLO, J. A, JAHNES, C. V, STEEN, S. E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronics Exact sciences and technology Microwave and submillimeter wave devices, electron transfer devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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