Impacts of gate electrode materials on threshold voltage (Vth) instability in nMOS HfO2 gate stacks under DC and AC stressing

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-08, Vol.26 (8), p.553-556
Hauptverfasser:	XUGUANG WANG, PETERSON, Jeff, MAJHI, Prashant, GARDNER, Mark I, KWONG, Dim-Lee
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!