A novel dynamic threshold voltage MOSFET (DTMOS) using heterostructure channel of Si1-yCy interlayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-10, Vol.26 (10), p.740-742
Hauptverfasser:	SHIEH, Ming-Shan, CHEN, Pang-Shiu, TSAI, M.-J, LEI, T. F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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