Charge-Trapping-Type Flash Memory Device With Stacked High-[Formula Omitted] Charge-Trapping Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-07, Vol.30 (7), p.775
Hauptverfasser:	Tsai, Ping-Hung, Chang-Liao, Kuei-Shu, Liu, Te-Chiang, Wang, Tien-Ko, Tzeng, Pei-Jer, Lin, Cha-Hsin, Lee, L.S, Tsai, Ming-Jinn
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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