Recessed 70-nm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs Fabricated Using an [Formula Omitted] Dielectric Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-09, Vol.30 (9), p.913
Hauptverfasser:	Kim, Donghyun, Kumar, V, Lee, Jaesun, Yan, Minjun, Dabiran, A.M, Wowchak, A.M, Chow, P.P, Adesida, I
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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