Identification of the atomic scale defects involved in radiation damage in HfO2 based MOS devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 2005-12, Vol.52 (6), p.2272
Hauptverfasser:	Ryan, J.T, Lenahan, P.M, Kang, A.Y, Conley, J.F, Bersuker, G, Lysaght, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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