Time dependent breakdown of ultrathin gate oxide

Time dependent dielectric breakdown (TDDB) of ultrathin gate oxide (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2000-07, Vol.47 (7), p.1416-1420
Hauptverfasser:	Yassine, A.M., Nariman, H.E., McBride, M., Uzer, M., Olasupo, K.R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electric breakdown Field programmable gate arrays
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Time dependent dielectric breakdown (TDDB) of ultrathin gate oxide (
ISSN:	0018-9383 1557-9646
DOI:	10.1109/16.848285