Low-frequency noise in submicrometer MOSFETs with HfO2, HfO2/Al2O3 and HfAlOx gate stacks

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2004-10, Vol.51 (10), p.1679-1687
Hauptverfasser:	BIGANG MIN, SIVA PRASAD DEVIREDDY, CELIK-BUTLER, Zeynep, FANG WANG, ZLOTNICKA, Ania, TSENG, Hsing-Huang, TOBIN, Philip J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Molecular electronics, nanoelectronics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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