High-performance and low-cost 0.15-[mu]m nMOSFETs using simultaneous N-gate and source/drain doping process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2004-01, Vol.51 (1), p.92
Hauptverfasser:	Cha, Han-Seob, Lee, Won-Gyu, Heo, Sang-Bum, Ryu, Hyuk-Hyun, Lee, Jong-Gon, Lee, Jeong-Gun, Lee, Hi-Deok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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