The effects of fluorine on parametrics and reliability in a 0.18-[mu]m 3.5/6.8 nm dual gate oxide CMOS technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-07, Vol.48 (7), p.1346
Hauptverfasser:	Hook, T.B, Adler, E, Guarin, F, Lukaitis, J, Rovedo, N, Schruefer, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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