N+/P junction leakage characteristics of Co salicide process for 0.15 [mu]m CMOS devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2002-05, Vol.49 (5), p.937
Hauptverfasser:	Lee, Key-Min, Choi, Chel-Jong, Lee, Joo-Hyoung, Seong, Tae-Yeon, Park, Young-Jin, Hong, Sung-Kwon, Ahn, Jae-Gyung, Lee, Hi-Deok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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