Clarification of floating-body effects on drive current and short channel effect in deep sub-0.25 [mu]m partially depleted SOI MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2002-01, Vol.49 (1), p.55
Hauptverfasser:	Matsumoto, T, Maeda, S, Hirano, Y, Eikyu, K, Yamaguchi, Y, Maegawa, S, Inuishi, M, Nishimura, T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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