Reexamination of the role of nitrogen in oxynitrides-fixed charge reduction in the p+-polysilicon gate MOS

The problems associated with the use of p+-polysilicon gate MOS have been intensively investigated.

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-12, Vol.48 (12), p.2777
1. Verfasser:	Suizu, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Boron Fluorine
Online-Zugang:	Volltext
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