Reexamination of the role of nitrogen in oxynitrides-fixed charge reduction in the p+-polysilicon gate MOS

Reexamination of the role of nitrogen in oxynitrides-fixed charge reduction in the p+-polysilicon gate MOS

The problems associated with the use of p+-polysilicon gate MOS have been intensively investigated.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2001-12, Vol.48 (12), p.2777
1. Verfasser: Suizu, Y
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Boron
Fluorine
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Beschreibung
Zusammenfassung:The problems associated with the use of p+-polysilicon gate MOS have been intensively investigated.
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/16.974703