The thermal stability of one-transistor ferroelectric memory with Pt-Pb5Ge3O11-Ir-poly-SiO2-Si gate stack

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2003-11, Vol.50 (11), p.2280
Hauptverfasser:	Li, Tingkai, Hsu, Sheng Teng, Ulrich, B.D, Evans, D.R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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