$GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 [mu]m with 1.5-W nearly diffraction-limited power$

GaSb-based tapered diode lasers at 1.93 [mu]m with 1.5-W nearly diffraction-limited power

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE photonics technology letters 2006-03, Vol.18 (6), p.758
Hauptverfasser:	C. Pfahler, C. Pfahler, G. Kaufel, G. Kaufel, M.T. Kelemen, M.T. Kelemen, M. Mikulla, M. Mikulla, M. Rattunde, M. Rattunde, J. Schmitz, J. Schmitz, J. Wagner, J. Wagner
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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