High work-function metal gate and high-[kappa] dielectrics for charge trap flash memory device applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2005-12, Vol.52 (12), p.2654
Hauptverfasser:	Sanghun Jeon, Sanghun Jeon, Jeong Hee Han, Jeong Hee Han, Jung Hoon Lee, Jung Hoon Lee, Sangmoo Choi, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang, Hyunsang Hwang, Chungwoo Kim, Chungwoo Kim
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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