Novel two-bit HfO2 nanocrystal nonvolatile flash memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2006-04, Vol.53 (4), p.782-789
Hauptverfasser:	LIN, Yu-Hsien, CHIEN, Chao-Hsin, LIN, Ching-Tzung, CHANG, Chun-Yen, LEI, Tan-Fu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Magnetic and optical mass memories Molecular electronics, nanoelectronics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Storage and reproduction of information
Online-Zugang:	Volltext
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