110-GHz fT silicon bipolar transistors implemented using fluorine implantation for boron diffusion suppression

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2006-03, Vol.53 (3), p.545-552
Hauptverfasser:	KHAM, M. N, EL MUBAREK, H. A. W, BONAR, J. M, ASHBURN, Peter, WARD, P, FIORE, L, PETRALIA, R, ALEMANNI, C, MESSINA, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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