High-temperature stable IrxSi gates with high work function on HfSiON p-MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2007-02, Vol.54 (2), p.257-261
Hauptverfasser:	HUNG, B. F, WU, C. H, CHIN, Albert, WANG, S. J, YEN, F. Y, HOU, Y. T, JIN, Y, TAO, H. J, CHEN, Shih C, LIANG, Mong-Song
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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