A Comparative Study of HfTaON/SiO2 and HfON/SiO2 Gate Stacks With TaN Metal Gate for Advanced CMOS Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2007-02, Vol.54 (2), p.284
Hauptverfasser:	Xiongfei Yu, Xiongfei Yu, Mingbin Yu, Mingbin Yu, Chunxiang Zhu, Chunxiang Zhu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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