Impact of Shear Strain and Quantum Confinement on (110) Channel nMOSFET With High-Stress CESL

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2008-10, Vol.55 (10), p.2632-2640
Hauptverfasser:	TAKASHINO, Hiroyuki, OKAGAKI, Takeshi, INOUE, Yasuo, UCHIDA, Tetsuya, HAYASHI, Takashi, TANIZAWA, Motoaki, TSUKUDA, Eiji, EIKYU, Katsumi, WAKAHARA, Shoji, ISHIKAWA, Kiyoshi, TSUCHIYA, Osamu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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