Second-Bit-Effect-Free Multibit-Cell Flash Memory Using [Formula Omitted] Split Charge Trapping Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2009-09, Vol.56 (9), p.1966
Hauptverfasser:	Gang Zhang, Gang Zhang, Seung-Hwan Lee, Seung-Hwan Lee, Chang Ho Ra, Chang Ho Ra, Hua-Min Li, Hua-Min Li, Won Jong Yoo, Won Jong Yoo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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