Thermal Immune NiGermanide for High Performance Ge MOSFETs on Ge-on- Si Substrate Utilizing [Formula Omitted] Alloy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2009-02, Vol.56 (2), p.348
Hauptverfasser: Ying-Ying Zhang, Ying-Ying Zhang, Jungwoo Oh, Jungwoo Oh, In-Shik Han, In-Shik Han, Zhun Zhong, Zhun Zhong, Shi-Guang Li, Shi-Guang Li, Soon-Yen Jung, Soon-Yen Jung, Kee-Young Park, Kee-Young Park, Hong-Sik Shin, Hong-Sik Shin, Won-Ho Choi, Won-Ho Choi, Hyuk-Min Kwon, Hyuk-Min Kwon, Wei-Yip Loh, Wei-Yip Loh, Majhi, P, Jammy, R, Hi-Deok Lee, Hi-Deok Lee
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2008.2010593