P‐7.8: Resistance Reduction in Molybdenum gate electrode by W Seed Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SID International Symposium Digest of technical papers 2024-04, Vol.55 (S1), p.1076-1076
Hauptverfasser:	Gao, Zecui, Koestenbauer, Harald, Lorenz, Dominik, Linke, Christian, Winkler, Joerg, Schmidt, Hennrik
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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