High-breakdown-voltage (>3000 V) and low-power-dissipation Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.1Ga0.9N double-heterostructure HEMTs with Ohmic/Schottky hybrid drains and Al2O3/SiO2 passivation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Science China. Information sciences 2023-12, Vol.66 (12), p.229404, Article 229404
Hauptverfasser:	Fan, Yutong, Liu, Xi, Huang, Ren, Wen, Yu, Zhang, Weihang, Zhang, Jincheng, Liu, Zhihong, Zhao, Shenglei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum oxide Computer Science Energy dissipation Heterostructures Information Systems and Communication Service Letter Silicon dioxide
Online-Zugang:	Volltext
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