The Effect of High Temperature He+ Implantation on Polycrystalline Tungsten in IR-IECF

High temperature (1,100–1,200°C) implantation impact of helium ions in PC Tungsten as a candidate fusion first wall material was studied in the Iranian Inertial Electrostatic Confinement device (IR-IECF). High energetic (100–120 keV) helium ions were applied to produce fluences up to 5 × 10 20 He +...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of fusion energy 2012-08, Vol.31 (4), p.389-395
Hauptverfasser: Semsari, S., Sadighzadeh, A., Zakeri, A., Khademzade, S., Torabi, M., Sedaghat, M., Damideh, V.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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