Investigation of dislocations in 4H-SiC by g•b contrast analysis using TEM

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of Surface Analysis 2023, Vol.29(3), pp.205-205
Hauptverfasser:	Mori, Takahito, Hiki, Tomonori, Yoshikawa, Masao
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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