P‐1.14: Comparison of the Short‐Channel Effects in Source‐Gated Transistors and Conventional Thin Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SID International Symposium Digest of technical papers 2022-10, Vol.53 (S1), p.612-612
Hauptverfasser:	Luo, Li, Wu, Wenjing, Lin, Xiaoyu, Wang, Zhenze, Liu, Jiaxin, Zhang, Jiawei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Semiconductor devices Thin film transistors
Online-Zugang:	Volltext
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