Detection of a charge built in the oxide layer of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by lateral C-V measurement

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Doklady. a journal of the Russian Academy of Sciences. Physics 2007-06, Vol.52 (6), p.322-325
Hauptverfasser:	Atamuratov, A. É., Matrasulov, D. U., Khabibullaev, P. K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Field effect transistors Metal oxide semiconductors MOSFETs Semiconductor devices
Online-Zugang:	Volltext
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