Electron g-factor determined for quantum dot circuit fabricated from (110)-oriented GaAs quantum well

The choice of substrate orientation for semiconductor quantum dot circuits offers opportunities for tailoring spintronic properties such as g-factors for specific functionality. Here, we demonstrate the operation of a few-electron double quantum dot circuit fabricated from a (110)-oriented GaAs quan...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2022-04, Vol.131 (13)
Hauptverfasser: Nakagawa, T., Lamoureux, S., Fujita, T., Ritzmann, J., Ludwig, A., Wieck, A. D., Oiwa, A., Korkusinski, M., Sachrajda, A., Austing, D. G., Gaudreau, L.
Format: Artikel
Sprache:eng
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