P‐1.3: Novel Top Gate Oxide Thin Film Transistor: With Top Light Shielding Metal Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SID International Symposium Digest of technical papers 2021-08, Vol.52 (S2), p.692-692
Hauptverfasser:	Lu, Macai, Liu, Nian, Gao, Lu, Mei, Xueru, Liu, Minggang, Li, Zhuhui, Feng, Zhengyu, Yao, Jiangbo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Shielding Thin films Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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