Expression of concern:Properties of Mg doped GaAs grown by molecular beam epitaxy, Jong Su Kim, I.H. Bae, J.Y. Leem, S.K. Noh, J.I. Lee, J.S. Kim, S.M. Kim, J.S. Son, Minhyon Jeon, J. Crystal Growth. vol. 226, pp. 52–56, 2001
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth 2021-04, Vol.560-561, p.126038, Article 126038 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | |
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| ISSN: | 0022-0248 1873-5002 |
| DOI: | 10.1016/j.jcrysgro.2021.126038 |