Erratum: Method for Analyzing the Temperature and Pressure Dependence of the Growth of an Oxide Film in the Thermal Oxidation of Si and SiC [J. Phys. Soc. Jpn. 89, 104602 (2020)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Physical Society of Japan 2021-03, Vol.90 (3), p.38001
1. Verfasser:	Itoh, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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