Halide Vapor Phase Epitaxy of In2O3 and (In1−xGax)2O3 on Sapphire Substrates and GaN/Al2O3 Templates
The growth of cubic and rhombohedral In2O3 and (InGa)2O3 epitaxial films by halide vapor phase epitaxy (HVPE) is reported. The deposition is carried out at 625 °C using indium trichloride (InCl3), gallium monochloride (GaCl), and O2 precursors on (0001) sapphire substrates, HVPE‐grown Ga2O3/Al2O3 an...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2021-02, Vol.218 (3), p.n/a |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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