Halide Vapor Phase Epitaxy of In2O3 and (In1−xGax)2O3 on Sapphire Substrates and GaN/Al2O3 Templates

The growth of cubic and rhombohedral In2O3 and (InGa)2O3 epitaxial films by halide vapor phase epitaxy (HVPE) is reported. The deposition is carried out at 625 °C using indium trichloride (InCl3), gallium monochloride (GaCl), and O2 precursors on (0001) sapphire substrates, HVPE‐grown Ga2O3/Al2O3 an...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2021-02, Vol.218 (3), p.n/a
Hauptverfasser: Stepanov, Sergey, Nikolaev, Vladimir, Pechnikov, Alexei, Scheglov, Mikhail, Chikiryaka, Andrei, Chernykh, Alexey, Odnobludov, Maxim, Andreeva, Valentina, Polyakov, Alexander Y.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!