Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO2(Y) Based Memristors

We report on a comparative study of resistive switching in the memristors based on ZrO 2 (Y) films and on ZrO 2 (Y)/Ta 2 O 5 bilayer stacks by triangle voltage pulses with superimposed high-frequency sinusoidal signal. The dependencies of the current difference in the low resistance state and in the...

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Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2020-12, Vol.54 (14), p.1830-1832
Hauptverfasser:	Baranova, V. N., Filatov, D. O., Antonov, D. A., Antonov, I. N., Gorshkov, O. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Comparative studies Electric fields High resistance Low resistance Magnetic Materials Magnetism Memristors Nanostructure Devices Oxygen ions Physics Physics and Astronomy Switching Tantalum Tantalum oxides Voltage pulses Zirconium dioxide
Online-Zugang:	Volltext
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