30‐5: Late‐News Paper: Glass‐based High brightness AMLED using Dual Gate Coplanar a‐IGZO TFT

In this study, we report the high‐brightness 1.53 inch 130 PPI active‐matrix light‐emitting diode display (AMLED). Dual gate coplanar amorphous indium‐gallium‐zinc‐oxide (a‐IGZO) thin film transistor (TFT) is applied for the high brightness micro LED display. The micro LEDs optimized for the a‐IGZO...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SID International Symposium Digest of technical papers 2020-08, Vol.51 (1), p.440-443
Hauptverfasser:	Choi, Jin-Woo, Song, Dae-Ho, Chun, Hyung-Il, Kim, Min-Woo, Yang, ByungChoon, Hong, Jong-Ho, Kim, Hyo-Min, Jang, Jin, Jo, Sung-Chan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	a-IGZO AMLED Backplanes Bonding Brightness Damage prevention eutectic bonding Eutectic temperature Gallium Glass High brightness Indium gallium zinc oxide Light emitting diodes Micro LED Semiconductor devices Thin film transistors
Online-Zugang:	Volltext
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