Ferroelectric HfZrO2 FETs for steep switch onset

The ferroelectric HfZrO2 (HZO) is focused on coercive voltage for onset of negative capacitance (NC) with sub-2.3kbT/q subthreshold swing (SS). The Fe-FETs with ultra-thin HZO (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2019-07, Vol.215, p.110991, Article 110991
Hauptverfasser:	Chen, K.-T., Liao, C.-Y., Chen, H.-Y., Lo, C., Siang, G.-Y., Lin, Y.-Y., Tseng, Y.-J., Chang, C., Chueh, C.-Y., Yang, Y.-J., Liao, M.-H., Li, K.-S., Chang, S.T., Lee, M.H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Capacitance CMOS Electric potential Electromagnetism Fe-FETs Ferroelectric materials Ferroelectricity Ferroelectrics Hafnium HZO Negative capacitance Onset voltage Voltage
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The ferroelectric HfZrO2 (HZO) is focused on coercive voltage for onset of negative capacitance (NC) with sub-2.3kbT/q subthreshold swing (SS). The Fe-FETs with ultra-thin HZO (
ISSN:	0167-9317 1873-5568
DOI:	10.1016/j.mee.2019.110991