Structural and dielectric properties of (Bi) modified PLSZT ceramics

Les céramiques piézoélectriques sont largement utilisées dans diverses applications telles que le titano-zirconate de plomb (PZT), notamment après le développement d'un dopant accepteur ou donneur. C'est pourquoi toutes les études s'intéressent à l'effet des dopants sur les propriétés des céramiques PZT qui sont en forte demande. Dans ce travail, les échantillons polycristallins de Pb(0.95-x) La 0.03 Sm0.02 Bi x(Zr 0.3,Ti0.7)O3 (x= 0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08, 0.1) ont été préparés par une technique de réaction à l'état solide à haute température. Des techniques de microscopie électronique à balayage (SEM) et de diffraction des rayons X (XRD) ont été utilisées pour examiner la cristallisation de la céramique. Les résultats de XRD montrent que la structure de phase des échantillons est tétragonale. La constante diélectrique et la perte diélectrique des échantillons étudiés diminuaient avec l'augmentation de la fréquence; on peut donc dire que le dopage avec le Bi sur le PLSZT améliore les propriétés diélectriques et électriques. Piezoelectric ceramics are widely used in various applications such as lead zirconate titanate (PZT), especially after the development of acceptor or donor dopant. This is why all studies are interested in the effect of dopants on the properties of PZT ceramics are in great demand. In this work, the polycrystalline samples of Pb(0.95-x) La 0.03 Sm0.02 Bi x(Zr 0.3,Ti0.7)O3 (x= 0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08, 0.1) were prepared by a high-temperature solidstate reaction technique. Scanning electron micrograph (SEM) and X-ray diffraction (XRD) techniques was employed to examine the crystallization of the ceramics. The results of XRD show that the phase structure of the samples is tetragonal. The dielectric constant and the dielectric loss of the investigated samples decreased with increase in the frequency, then we can say that the doping with the Bi on PLSZT, enhances the dielectric and electrical properties.